MCQ
1801. একটি প্যারালেল সার্কিটের একটি শাখায় R এবং L সিরিজে এবং অন্যটিতে একটিমাত্র ক্যাপাসিটর C আছে। যদি R এবং L কে স্থির রেখে C-কে বাড়ানো হলে-
ডাইনামিক ইম্পিড্যান্স হ্রাস পাবে
ডাইনামিক ইম্পিড্যান্স বৃদ্ধি পাবে
রেজোন্যান্ট ফ্রিকুয়েন্সি বৃদ্ধি পাবে
রেজোন্যান্ট ফ্রিকুয়েন্সি হ্রাস পাবে
1802. একটি RLC সিরিজ সার্কিট রেজোন্যান্সের সময় যদি প্রয়োগকৃত ভোল্টেজের ফ্রিকুয়েন্সি বৃদ্ধি করা হয়, তবে সার্কিটটি হবে-
ইন্ডাকটিভ
ক্যাপাসিটিভ
রেজিস্টিভ
রেজোন্যান্ট
1803. একটি বিশুদ্ধ ইন্ডাকটিভ সার্কিটে পাওয়ার অপচয় হয়-
সর্বোচ্চ
সর্বনিম্ন
একক
শূন্য
1804. সিরিজ রেজোন্যান্সের বেলায় কোনটি সত্য--
রিয়্যাকট্যান্স শূন্য এবং ইম্পিড্যান্স রেজিস্ট্যান্সের সমান হয়
সার্কিটে কারেন্টন্ট সর্বোচ্চ হয়
ইন্ডাকট্যান্স এবং ক্যাপাসিট্যান্সে ভোল্টেজ পরস্পরকে রদ করে
উপরের সব ক'টিই সত্য
1805. যদি একটি সিরিজ 'রেজোন্যান্ট' সার্কিটের রেজিস্ট্যান্সের মান বৃদ্ধি করা হয়, তবে-
রেজোন্যান্ট ফ্রিকুয়েন্সি বৃদ্ধি পাবে, কিন্তু কারেন্ট স্থির থাকবে
রেজোন্যান্ট ফ্রিকুয়েন্সি হ্রাস পাবে, কিন্তু কারেন্ট স্থির থাকবে
সার্কিটটির বিবর্ধন বৃদ্ধি পাবে
সার্কিটটি তথাপি রেজোন্যান্ট থাকবে
1806. একটি এসি সার্কিটে প্রতি একক ভোল্টে, কারেন্টের অনুভূমিক উপাদানকে বলে-
অ্যাডমিট্যান্স
কন্ডাকট্যান্স
সাসস্ট্যান্স
রিয়্যাকট্যান্স
Himalay Sen Sir
ইলেক্ট্রিক্যাল ডিপার্টমেন্ট Mcq
EEE MCQ
Electrical Department all question
এসি সার্কিট MCQ ALL
AC Circuit mcq
ব্যাখ্যা: ব্যাখ্যা: এসি সার্কিটের প্রতি একক ভোল্টের কারেন্টের অনুভূমিক উপাংশকে কন্ডাকট্যান্স বলে। একে G দ্বারা প্রকাশ করা হয় এবং এর একক মোহ
1807. একট বিশুদ্ধ রেজিস্টিভ সার্কিটে 'পাওয়ার ফ্যাক্টর' হয়-
সর্বোচ্চ
একক
সর্বনিম্ন
শূন্য
1808. সার্কিটের ভোল্টেজ বিবর্ধন উৎপাদককে বলে-
পাওয়ার ফ্যাক্টর
ভোল্টেজ ফ্যাক্টর
ফরম ফ্যাক্টর
কিউ ফ্যাক্টর
Himalay Sen Sir
ইলেক্ট্রিক্যাল ডিপার্টমেন্ট Mcq
EEE MCQ
Electrical Department all question
এসি সার্কিট MCQ ALL
AC Circuit mcq
ব্যাখ্যা: ব্যাখ্যা। সিরিজ রেজোন্যান্সের ইন্ডাকট্যান্স বা ক্যাপাসিট্যান্সের আড়াআড়িতে পটেনশিয়াল পার্থক্য সাপ্লাই ভোল্টেজের চেয়ে বহুগুণ বৃদ্ধি পায়। রেজোন্যান্সের কারণে সৃষ্ট ভোল্টেজ বিবর্ধনকে সিরিজ রেজোন্যান্ট সার্কিটের Q-factor বলে।
1809. কন্ডাকট্যান্স-
G = B/sinθ
G=Y cosθ
G =B tanθ
G= Y cosθ
1810. A resistor of 3 kiloohm, a 0.05 microfarad capacitor, and a 120 mH coil are in series across a 5 kHz, 20V ac source. What is the impedance, expressed in polar form?
636 ohm
433 ohm
3769 ohm
4337 ohm
1811. এসি সিরিজ সার্কিটে যখন ইন্ডাকটিভ রিয়্যাকট্যান্স, ক্যাপাসিটিভ রিয়্যাকট্যান্সের সমান হয়, তখন সার্কিটটিকে বলা হয়-
ইন্ডাকটিভ সার্কিট
রেজোন্যান্ট সার্কিট
ক্যাপাসিটিভ সার্কিট
প্যাসিভ সার্কিট
Himalay Sen Sir
ইলেক্ট্রিক্যাল ডিপার্টমেন্ট Mcq
EEE MCQ
Electrical Department all question
এসি সার্কিট MCQ ALL
AC Circuit mcq
ব্যাখ্যা: ব্যাখ্যা: সিরিজ রেজোন্যান্ট সার্কিটের বৈশিষ্ট্য: ১। পাওয়ার ফ্যাক্টর unity হতে হবে। ২। ইন্ডাক্টিভ রিয়্যাকট্যান্স এবং ক্যাপাসিট্যান্স রিয়্যাকট্যান্স সমান হবে। ৩ । সর্বোচ্চ কারেন্ট প্রবাহিত হবে।
1812. লোডের পাওয়ার ফ্যাক্টর নিম্ন হওয়ার জন্য-
ভোল্টেজ রেগুলেশন হ্রাস পায়
ভোল্টেজ রেগুলেশন বৃদ্ধি পায়
প্রেরণ লাইনে দক্ষতা বৃদ্ধি পায়
প্রেরণ লাইনের পাওয়ার লস হ্রাস পায়
1813. 'পাওয়ার ত্রিভুজে' সক্রিয় পাওয়ার-
kw
KVAR
KVA
kV
1814. সাসসেস্ট্যান্স-
B =Y/ sinθ
B =Y/cosθ
B = G tanθ
B =Y cosθ
1815. 'ভোল্টেজ রেজোন্যান্স' সংঘটিত হয়-
প্যারালেল সার্কিটে
সিরিজ সার্কিটে
সিরিজ এবং প্যারালেল উভয় সার্কিটে
সঠিকভাবে শনাক্ত করা যায় না
1816. একটি এসি সার্কিটে প্রতি একক ভোল্টে কারেন্টের উল্লম্ব উপাদানকে বলে-
অ্যাডমিট্যান্স
সাসসেন্ট্যান্স
কন্ডাকট্যান্স
রিয়্যাকট্যান্স
1817. কারেন্ট রেজোন্যান্স সংঘটিত হয়-
শুধুমাত্র প্যারালেল সার্কিটে
শুধুমাত্র সিরিজ সার্কিটে
সিরিজ এবং প্যারালেল উভয় সার্কিটে
সঠিকভাবে শনাক্ত করা যায় না
1818. ব্যবহারকারীর লোডের পাওয়ার ফ্যাক্টর কম হলে-
সরবরাহকারীর ক্ষতি হয়
সরবরাহকারীর লাভ হয়
ব্যবহারকারীর ক্ষতি হয়
কারও কোনো লাভ-লোকসান হয় না
Himalay Sen Sir
ইলেক্ট্রিক্যাল ডিপার্টমেন্ট Mcq
EEE MCQ
Electrical Department all question
এসি সার্কিট MCQ ALL
AC Circuit mcq
ব্যাখ্যা: ব্যাখ্যা: পাওয়ার ফ্যাক্টর কম হলে সিস্টেমের- (১) লাইন লস বৃদ্ধি হয়। (ii) পাওয়ার সিস্টেমের দক্ষতা কমে যায়। (iii) প্রাথমিক খরচ বেড়ে যায় এতে করে পার ইউনিট ভস্ট বেশি হয়, ফলে সরবরাহকারীর ক্ষতি হয়।
1819. 'পাওয়ার ত্রিভুজে' প্রকৃত পাওয়ার-
KW
KVAR
KVA
kV
1820. অ্যাডমিট্যান্স-
Y =G cosθ
Y = B tanθ
Y= G/tanθ
Y =G/ cosθ