MCQ
2701. কক্ষ তাপমাত্রায় এন-টাইপ পদার্থে থাকে-
ব্যাখ্যা: এন-টাইপে অধিক সংখ্যক ইলেকট্রন থাকে।
অধিকসংখ্যক ইলেকট্রন
সমান সংখ্যক ইলেকট্রন ও হোল
কোনোটিই নয়
অধিকসংখ্যক হোল
2702. একটি সেমিকন্ডাক্টরের টেম্পারেচার কো-ইফিসিয়েন্ট অব রেজিস্ট্যান্স-ায়ায় মে---
ব্যাখ্যা: একটি সেমিকন্ডাক্টরের রেজিস্ট্যান্স নেগেটিভ হয়। টেম্পারেচার কো-ইফিসিয়েন্ট অব
শূন্য হতে পারে
নেগেটিভ হতে পারে
পজিটিভ হতে পারে
উপরের কোনোটিই নয়
2703. কোনো সেমিকন্ডাক্টর যখন খাঁটি (Pure) অবস্থায় থাকে, তখন তাকে বলে-
ব্যাখ্যা: ইনট্রিনসিক সেমিকন্ডাক্টরকে খাঁটি সেমিকন্ডাক্টর বলে।
ইনট্রিনসিক সেমিকন্ডাক্টর
এক্সট্রিনসিক সেমিকন্ডাক্টর
পি-টাইপ সেমিকন্ডাক্টর
এন-টাইপ সেমিকন্ডাক্টর
2704. সিলিকন অ্যাটমে মোট ইলেকট্রনের সংখ্যা-
ব্যাখ্যা: সিলিকন অ্যাটমের মোট ইলেকট্রন সংখ্যা = 14টি
।।টি
14টি
1৪টি
21টি
2705. যখন একটি সার্কিটে ব্যবহৃত হয়, তখন একটি জিনার ডায়োড সর্বদাই-
ব্যাখ্যা: জিনার ডায়োড সর্বদাই রিভার্স বায়াসে সংযোগ থাকে।
ফরওয়ার্ড বায়াসড হয়
সিরিজে সংযুক্ত হয়
ওভারহিটিং-এ অসুবিধা করে
রিভার্স বায়াসড হয়
2706. মুক্ত ইলেকট্রন থাকে-
ব্যাখ্যা: কন্ডাকশন ব্যান্ডে মুক্ত ইলেকট্রন থাকে।
প্রথম ব্যান্ডে
দ্বিতীয় ব্যান্ডে
তৃতীয় ব্যান্ডে
কন্ডাকশন ব্যান্ডে
2707. যখন একটি ইলেকট্রন কো-ভ্যালেন্ট বন্ড ভেঙে দূরে চলে যায়, তখন-
ব্যাখ্যা: যখন একটি ইলেকট্রন কো-ভ্যালেন্ট বন্ড ভেঙে দূরে চলে যায়, তখন একটি 'হোল'-এর সৃষ্টি হয়।
একটি 'হোল'-এর সৃষ্টি হয়
একটি প্রোটন নষ্ট হয়
অ্যাটম আয়নে পরিণত হয়
বাকি ইলেকট্রনগুলো দ্রুত ঘুরতে থাকে
2708. ০°K তাপমাত্রায় একটি সেমিকন্ডাক্টর যে রকম আচরণ করে-
ব্যাখ্যা: ০°K তাপমাত্রায় একটি সেমিকন্ডাক্টর ইনসুলেটর-এর ন্যায় আচরণ করে।
ইনসুলেটর
ভালো কন্ডাক্টর
সুপার-কন্ডাক্টর
পরিবর্তনশীল রেজিস্টর
2709. কক্ষ তাপমাত্রায় পি-টাইপ পদার্থে থাকে-
ব্যাখ্যা: পি-টাইপে অধিক সংখ্যক হোল থাকে।
অধিকসংখ্যক ইলেকট্রন
অধিকসংখ্যক হোল
সমান সংখ্যক ইলেকট্রন ও হোল
কোনটিই নয়
2710. কক্ষ তাপমাত্রায় ইনট্রিনসিক সেমিকন্ডাক্টর কন্ডাকশন হয়-
ব্যাখ্যা: কক্ষ তাপমাত্রায় ইনট্রিনসিক সেমিকন্ডাক্টর কন্ডাকশন হয়, ইলেকট্রন এবং হোল উভয়ই দ্বারা।
ইলেকট্রন দ্বারা
হোল দ্বারা
ইলেকট্রন এবং হোল উভয়ই
কোনো কন্ডাকশন হয় না
2711. ভ্যালেন্স ব্যান্ড এবং কন্ডাকশন ব্যান্ডের মধ্যবর্তী ফরবিডেন এনার্জি গ্যাপ বেশি হয়-
ব্যাখ্যা: ইনসুলেটরের ক্ষেত্রে ভ্যালেন্স ব্যান্ড এবং কন্ডাকশন ব্যান্ডের মধ্যবর্তী ফরবিডেন এনার্জি গ্যাপ সবচেয়ে বেশি হয়।
সেমিকন্ডাক্টর-এর ক্ষেত্রে
সকল ধাতুর ক্ষেত্রে
কারেন্ট পরিবহনের ভালো কন্ডাক্টর-এর ক্ষেত্রে
ইনসুলেটর-এর ক্ষেত্রে
2712. ভ্যালেন্স ইলেকট্রন হলো-
ব্যাখ্যা: পরমাণুর শেষ কক্ষপাতের ইলেকট্রনসমূহকে ভ্যালেন্স ইলেকট্রন বলে।
অবিন্যস্তভাবে সজ্জিত ইলেকট্রন
চলমান ইলেকট্রন
বাইরের অরবিটে অবস্থিত ইলেকট্রন
চার্জহীন ইলেকট্রন
2713. Candle is the unit of which?
কোনো পৃষ্ঠের এক বর্গমিটার ক্ষেত্রফলে আপতিত আলোক ফ্লাক্সের পরিমাণকে ঐ তলের দীপন তীব্রতা, আলোক তীব্রতা বা luminous intensity বলে। দীপন তীব্রতার একক ক্যান্ডেলা/Candela.
wave legth
luminous intensity
luminous flux
frequency
2714. ভ্যালেন্স ব্যান্ড এবং কন্ডাকশন ব্যান্ডের মধ্যবর্তী ফরবিডেন এনার্জি গ্যাপ খুব কম হয়-
ব্যাখ্যা : ধাতু বা পরিবাহীর ক্ষেত্রে ভ্যালেন্স ব্যান্ড এবং কন্ডাকশন ব্যান্ডের মধ্যবর্তী ফরবিডেন এনার্জি গ্যাপ খুব কম হয়।
ধাতুর ক্ষেত্রে
সেমিকন্ডাক্টর-এর ক্ষেত্রে
ইনসুলেটর-এর ক্ষেত্রে
উপরের সবগুলো
2715. জার্মেনিয়ামের ক্ষেত্রে ফরবিডেন এনার্জি গ্যাপের মান হয়-
ব্যাখ্যা: জার্মেনিয়াম (Ge)-এর ফরবিডেন এনার্জি গ্যাপ = 0.7 ev
0.7 eV
0.9 eV
1.1 eV
1.5 eV
2716. Which lamps can be directly connected to a solar cell?
The output of a solar cell is DC and LED operate on DC.
Incandescent
Metal Halide
LED
CFL
2717. কোনো সেমিকন্ডাক্টরের রেজিস্টিভিটি-
ব্যাখ্যা: সেমিকন্ডাক্টরের রেজিস্টিভিটি তাপমাত্রার সাথে ব্যস্তানুপাতিক।
তাপমাত্রা বৃদ্ধির সাথে বৃদ্ধি পায়
তাপমাত্রা বৃদ্ধির সাথে হ্রাস পায়
তাপমাত্রা কমবেশি করলে একই থাকে
উপরের কোনোটিই নয়
2718. জার্মেনিয়াম অ্যাটমে মোট ইলেকট্রনের সংখ্যা-
ব্যাখ্যা: জার্মেনিয়াম অ্যাটমের মোট ইলেকট্রন সংখ্যা = 32টি
14টি
16টি
29টি
32টি
2719. একটি জার্মেনিয়াম অ্যাটমের-
ব্যাখ্যা: জার্মেনিয়ামের পারমাণবিক সংখ্যা= 32টি
চারটি ভ্যালেন্স ইলেকট্রন আছে
চারটি প্রোটন আছে
তিনটি ভ্যালেন্স ইলেকট্রন আছে
দুটি ইলেকট্রন অরবিট আছে
2720. সিলিকনের ক্ষেত্রে ফরবিডেন এনার্জি গ্যাপের মান হয়-
ব্যাখ্যা: সিলিকনের (Si) ফরবিডেন এনার্জি গ্যাপ = 1.1 ev
0.7 eV
0.9 eV
1.1 eV
1.5 eV